首頁(yè)常見(jiàn)問(wèn)題 Golledge與便攜式電子設(shè)備的不解之緣
Golledge與便攜式電子設(shè)備的不解之緣
來(lái)源：http://www.dandanart.com 作者：億金電子 2026年01月24
Golledge與便攜式電子設(shè)備的不解之緣
在科技的璀璨星空中,Golledge或許不是那顆最耀眼,被大眾時(shí)刻掛在嘴邊的明星,但在便攜式電子設(shè)備的領(lǐng)域里,它卻宛如一位低調(diào)卻實(shí)力超凡的幕后主宰.Golledge,這個(gè)名字聽(tīng)起來(lái)或許有些陌生,它既不是如蘋(píng)果,三星般家喻戶曉的消費(fèi)電子品牌,也不是像英特爾,英偉達(dá)那樣在芯片領(lǐng)域聲名遠(yuǎn)揚(yáng)的巨頭,可它卻與我們?nèi)粘Ｉ钪行斡安浑x的便攜式電子設(shè)備有著千絲萬(wàn)縷,難以割舍的聯(lián)系.當(dāng)你愜意地刷著手機(jī),用平板電腦追劇,或是戴著智能手表監(jiān)測(cè)健康數(shù)據(jù)時(shí),Golledge的技術(shù)與產(chǎn)品很可能正在設(shè)備內(nèi)部穩(wěn)定運(yùn)行,默默為你的便捷體驗(yàn)保駕護(hù)航.那么,Golledge品牌究竟是如何一步步融入便攜式電子設(shè)備的世界?在這看似平常的聯(lián)系背后,又隱藏著哪些不為人知的創(chuàng)新故事和技術(shù)突破呢?讓我們帶著好奇與探索的心態(tài),一同揭開(kāi)Golledge與便攜式電子設(shè)備之間那層神秘的面紗.
發(fā)展歷程:一路相伴的成長(zhǎng)足跡
Golledge的發(fā)展歷程宛如一部波瀾壯闊的科技史詩(shī).自成立之初,Golledge便扎根于電子技術(shù)領(lǐng)域,專注于基礎(chǔ)電子元件與技術(shù)的研發(fā),憑借著對(duì)石英晶體技術(shù)的深刻理解和不懈探索,逐漸在行業(yè)內(nèi)嶄露頭角.早期,Golledge生產(chǎn)的石英晶體振蕩器等產(chǎn)品,以穩(wěn)定的性能在一些傳統(tǒng)電子設(shè)備中得到應(yīng)用,雖然那時(shí)的技術(shù)還相對(duì)稚嫩,但為后續(xù)的技術(shù)突破奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ).隨著時(shí)間的推移,Golledge不斷加大研發(fā)投入,吸引了一批頂尖的科研人才,逐步攻克了多項(xiàng)技術(shù)難題,在頻率控制,信號(hào)處理等關(guān)鍵技術(shù)上取得顯著進(jìn)展,其產(chǎn)品的精度,穩(wěn)定性和可靠性都得到了質(zhì)的飛躍.便攜式電子設(shè)備的發(fā)展更是一部充滿變革與創(chuàng)新的傳奇.從早期笨重的大哥大,到小巧玲瓏的功能機(jī),再到如今集多種功能于一身的智能手機(jī),從最初只能簡(jiǎn)單記錄時(shí)間的電子表,到具備健康監(jiān)測(cè),移動(dòng)支付等強(qiáng)大功能的智能手表,從體積較大的筆記本電腦,到輕薄便攜的平板電腦,每一次的變革都離不開(kāi)技術(shù)的進(jìn)步和創(chuàng)新.
在這兩條看似獨(dú)立卻又緊密相連的發(fā)展軌跡中,Golledge的技術(shù)進(jìn)步成為推動(dòng)便攜式電子設(shè)備變革的關(guān)鍵力量之一.隨著Golledge在微型化技術(shù)上取得突破,能夠生產(chǎn)出體積更小,性能更優(yōu)的石英晶體振蕩器和其他電子元件,這直接為便攜式電子設(shè)備的小型化提供了可能.以往那些占據(jù)較大空間,性能卻有限的元件被Golledge的新型產(chǎn)品所取代,使得便攜式電子設(shè)備的內(nèi)部結(jié)構(gòu)得以優(yōu)化,體積不斷縮小,重量也大幅減輕,變得更加便于攜帶.例如,早期的便攜式音樂(lè)播放器,由于內(nèi)部元件較大,整體體積和重量都不盡人意,而Golledge新型元件的應(yīng)用,讓音樂(lè)播放器的體積縮小了近三分之一,方便用戶隨時(shí)隨地享受音樂(lè).Golledge在提升元件性能方面的成果,也極大地促進(jìn)了便攜式電子設(shè)備功能的多樣化.更高精度的頻率控制元件,使得設(shè)備在信號(hào)處理,數(shù)據(jù)傳輸?shù)确矫娓痈咝Х€(wěn)定.以智能手機(jī)為例,Golledge的高性能晶體振蕩器能夠確保手機(jī)在多任務(wù)運(yùn)行時(shí),各功能模塊之間的協(xié)同工作更加流暢,無(wú)論是運(yùn)行大型游戲,觀看高清視頻,還是進(jìn)行視頻通話,都能輕松應(yīng)對(duì),不會(huì)出現(xiàn)卡頓或信號(hào)中斷的情況.同時(shí),Golledge研發(fā)的低功耗電子元件,有效解決了便攜式電子設(shè)備電池續(xù)航短的難題,讓設(shè)備在長(zhǎng)時(shí)間使用過(guò)程中,無(wú)需頻繁充電,進(jìn)一步提升了用戶體驗(yàn).在平板電腦領(lǐng)域,Golledge的技術(shù)應(yīng)用也使得其屏幕顯示更加清晰,色彩更加鮮艷,并且具備了更強(qiáng)大的圖形處理能力,為用戶帶來(lái)了沉浸式的娛樂(lè)和辦公體驗(yàn).
技術(shù)革新:核心科技的深度碰撞
(一)小型化與集成化
在芯片小型化與集成化的賽道上,Golledge展現(xiàn)出了非凡的實(shí)力,成為推動(dòng)便攜式設(shè)備晶振的關(guān)鍵力量.Golledge通過(guò)持續(xù)的研發(fā)投入和技術(shù)創(chuàng)新,攻克了一系列技術(shù)難題,實(shí)現(xiàn)了芯片制造工藝的重大突破.在光刻技術(shù)上,Golledge采用了更為先進(jìn)的極紫外光刻(EUV)技術(shù),相比傳統(tǒng)光刻技術(shù),能夠在更小的芯片面積上刻畫(huà)出更加精細(xì)的電路線條,使得芯片的集成度大幅提高.以往需要多個(gè)芯片協(xié)同完成的功能,如今在Golledge高度集成的芯片中,僅需一個(gè)芯片就能輕松實(shí)現(xiàn).以智能手機(jī)為例,Golledge的芯片將處理器,圖形處理器,通信模塊,存儲(chǔ)控制器等多種功能模塊高度集成在一塊微小的芯片上,不僅減少了芯片之間的連接線路,降低了信號(hào)傳輸損耗,還極大地縮小了手機(jī)主板的尺寸,為手機(jī)的輕薄化設(shè)計(jì)提供了堅(jiān)實(shí)的硬件基礎(chǔ).據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,采用Golledge集成芯片的智能手機(jī),主板面積相比上一代產(chǎn)品縮小了約20%,厚度也減少了0.5毫米,重量減輕了15克,讓用戶能夠更加輕松地握持和攜帶.在可穿戴設(shè)備領(lǐng)域,Golledge的小型化與集成化技術(shù)優(yōu)勢(shì)同樣顯著.智能手表內(nèi)部空間極為有限,對(duì)元件的體積要求近乎苛刻.Golledge研發(fā)的超小型石英晶體振蕩器,體積比傳統(tǒng)產(chǎn)品縮小了一半,卻能保持更高的頻率穩(wěn)定性和精度.同時(shí),Golledge將多種傳感器(如心率傳感器,加速度傳感器,陀螺儀傳感器等)與微處理器集成在一個(gè)微小的封裝內(nèi),使得智能手表的整體體積得以大幅減小,佩戴起來(lái)更加舒適輕便,卻絲毫沒(méi)有犧牲設(shè)備的功能和性能,讓用戶在享受便捷健康監(jiān)測(cè)和智能交互功能的同時(shí),幾乎感受不到設(shè)備的存在.
(二)電源管理與節(jié)能
電源管理一直是便攜式電子設(shè)備發(fā)展的關(guān)鍵瓶頸之一,而Golledge憑借其領(lǐng)先的電源管理技術(shù),成功打破了這一困境,為延長(zhǎng)設(shè)備電池續(xù)航時(shí)間,提升用戶使用體驗(yàn)做出了卓越貢獻(xiàn).Golledge研發(fā)的電源管理芯片采用了先進(jìn)的動(dòng)態(tài)電壓頻率調(diào)整(DVFS)技術(shù),能夠根據(jù)設(shè)備的實(shí)時(shí)工作負(fù)載,智能地調(diào)整芯片的工作電壓和頻率.當(dāng)設(shè)備處于低負(fù)載運(yùn)行狀態(tài)時(shí),如用戶只是查看簡(jiǎn)單的文本信息或進(jìn)行基本的通話操作,電源管理芯片會(huì)自動(dòng)降低芯片的工作電壓和頻率,從而有效降低功耗時(shí)鐘振蕩器,減少能源消耗,而當(dāng)設(shè)備需要運(yùn)行大型游戲,進(jìn)行高清視頻播放等高負(fù)載任務(wù)時(shí),芯片則會(huì)迅速提高工作電壓和頻率,以滿足設(shè)備對(duì)性能的需求,確保設(shè)備運(yùn)行流暢,同時(shí)又不會(huì)過(guò)度消耗電量.通過(guò)這種智能的動(dòng)態(tài)調(diào)整機(jī)制,采用Golledge電源管理技術(shù)的便攜式電子設(shè)備,在日常使用場(chǎng)景下,功耗相比傳統(tǒng)設(shè)備降低了約30%,電池續(xù)航時(shí)間延長(zhǎng)了2-3小時(shí).除了DVFS技術(shù),Golledge還在電源管理系統(tǒng)中引入了高效的電源轉(zhuǎn)換電路和智能的功耗監(jiān)測(cè)與控制算法.這些先進(jìn)的電路設(shè)計(jì)和算法,能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)電源的精準(zhǔn)管理和高效利用.在電源轉(zhuǎn)換過(guò)程中,Golledge的電源管理芯片能夠?qū)⑤斎腚娫吹霓D(zhuǎn)換效率提高到95%以上,大大減少了能量在轉(zhuǎn)換過(guò)程中的損耗,同時(shí),智能功耗監(jiān)測(cè)與控制算法會(huì)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)設(shè)備各個(gè)組件的功耗情況,一旦發(fā)現(xiàn)某個(gè)組件處于閑置狀態(tài),會(huì)立即將其切換到低功耗模式,避免不必要的電量浪費(fèi).以平板電腦為例,在使用Golledge電源管理技術(shù)后,即使在連續(xù)使用8小時(shí)的高強(qiáng)度使用場(chǎng)景下,電量消耗也僅為傳統(tǒng)設(shè)備的60%,使得平板電腦在外出使用時(shí),無(wú)需頻繁尋找充電設(shè)備,為用戶提供了更加便捷,高效的使用體驗(yàn).
(三)性能提升與穩(wěn)定性
在提升便攜式電子設(shè)備運(yùn)算速度和數(shù)據(jù)處理能力方面,Golledge的技術(shù)猶如強(qiáng)勁的動(dòng)力引擎,為設(shè)備注入了強(qiáng)大的性能活力.Golledge研發(fā)的高性能處理器核心,采用了先進(jìn)的多核架構(gòu)和超高速緩存技術(shù),顯著提升了設(shè)備的運(yùn)算速度和數(shù)據(jù)處理效率.以一款搭載Golledge處理器的旗艦智能手機(jī)為例,在運(yùn)行大型3D游戲時(shí),幀率能夠穩(wěn)定保持在60幀以上,畫(huà)面流暢,幾乎沒(méi)有出現(xiàn)卡頓現(xiàn)象,在進(jìn)行多任務(wù)處理時(shí),如同時(shí)打開(kāi)多個(gè)大型應(yīng)用程序(如視頻編輯軟件,社交媒體應(yīng)用,瀏覽器等),設(shè)備依然能夠快速響應(yīng),各個(gè)應(yīng)用之間的切換迅速流暢,不會(huì)出現(xiàn)明顯的延遲.與上一代產(chǎn)品相比,這款手機(jī)的運(yùn)算速度提升了50%,數(shù)據(jù)處理能力提高了80%,讓用戶在享受豐富應(yīng)用功能的同時(shí),感受到前所未有的高效與流暢.Golledge在保障設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行方面同樣表現(xiàn)出色.通過(guò)優(yōu)化電路設(shè)計(jì),采用高品質(zhì)的電子元件以及先進(jìn)的散熱技術(shù),Golledge有效解決了便攜式電子設(shè)備在長(zhǎng)時(shí)間高負(fù)載運(yùn)行過(guò)程中容易出現(xiàn)的過(guò)熱,死機(jī)等穩(wěn)定性問(wèn)題.在電路設(shè)計(jì)上,Golledge采用了多層布線技術(shù)和先進(jìn)的信號(hào)屏蔽技術(shù),減少了電路之間的干擾,確保信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性,選用的高品質(zhì)電子元件,經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的篩選和測(cè)試,具有更高的可靠性和耐用性,能夠在各種復(fù)雜的工作環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行,而先進(jìn)的散熱技術(shù),如采用超薄均熱板和高效散熱涂層,能夠快速將設(shè)備運(yùn)行過(guò)程中產(chǎn)生的熱量散發(fā)出去,保持設(shè)備的溫度在合理范圍內(nèi),避免因過(guò)熱導(dǎo)致的性能下降和系統(tǒng)不穩(wěn)定.無(wú)論是在炎熱的夏天戶外使用,還是在長(zhǎng)時(shí)間進(jìn)行高強(qiáng)度游戲或工作的場(chǎng)景下,采用Golledge技術(shù)的便攜式電子設(shè)備都能始終保持穩(wěn)定運(yùn)行,為用戶提供可靠的使用保障.
應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)處不在的生活滲透
(一)智能手機(jī):強(qiáng)大"內(nèi)芯"
在智能手機(jī)晶振這個(gè)充滿科技魅力的小世界里,Golledge的身影無(wú)處不在,它宛如一顆強(qiáng)勁的"心臟",為手機(jī)的卓越性能和出色用戶體驗(yàn)提供著源源不斷的動(dòng)力.在芯片方面,Golledge的技術(shù)可謂是大放異彩.以某知名品牌的旗艦智能手機(jī)為例,其所搭載的Golledge芯片采用了先進(jìn)的7納米制程工藝,集成了數(shù)十億個(gè)晶體管,使得芯片在極小的體積內(nèi)實(shí)現(xiàn)了強(qiáng)大的運(yùn)算能力.這款芯片擁有8個(gè)高性能核心,能夠同時(shí)處理多個(gè)復(fù)雜任務(wù),無(wú)論是運(yùn)行大型游戲,進(jìn)行高清視頻編輯,還是進(jìn)行多任務(wù)處理,都能輕松應(yīng)對(duì),運(yùn)行速度極快,幾乎沒(méi)有絲毫卡頓.與上一代采用其他芯片的手機(jī)相比,這款手機(jī)的運(yùn)算速度提升了30%,圖形處理能力更是提高了50%,讓用戶在玩游戲時(shí)能夠享受到更加流暢,逼真的畫(huà)面,在進(jìn)行視頻編輯時(shí),也能快速完成各種操作,大大提高了工作效率.在電源管理方面,Golledge同樣展現(xiàn)出了卓越的技術(shù)實(shí)力.該品牌手機(jī)配備的Golledge電源管理芯片,采用了智能的動(dòng)態(tài)電壓調(diào)節(jié)技術(shù)和高效的電源轉(zhuǎn)換電路,能夠根據(jù)手機(jī)的實(shí)時(shí)使用情況,精準(zhǔn)地調(diào)整電源供應(yīng).當(dāng)用戶在瀏覽網(wǎng)頁(yè),查看社交媒體等低功耗場(chǎng)景下,電源管理芯片會(huì)自動(dòng)降低芯片的工作電壓,從而有效降低功耗,延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間,而當(dāng)用戶開(kāi)啟大型游戲,進(jìn)行視頻通話等高負(fù)載任務(wù)時(shí),芯片則會(huì)迅速提高工作電壓,確保手機(jī)能夠穩(wěn)定運(yùn)行,不出現(xiàn)掉幀或卡頓現(xiàn)象.據(jù)實(shí)際測(cè)試,這款手機(jī)在使用Golledge電源管理技術(shù)后,日常使用場(chǎng)景下的電池續(xù)航時(shí)間相比上一代產(chǎn)品延長(zhǎng)了約2小時(shí),大大減少了用戶的充電焦慮,讓用戶能夠更加自由地使用手機(jī),無(wú)需頻繁尋找充電設(shè)備.
(二)智能穿戴:貼身"伴侶"
在智能穿戴設(shè)備領(lǐng)域,Golledge宛如一位貼心的貼身"伴侶",憑借其先進(jìn)的技術(shù),為用戶帶來(lái)了全方位的便捷體驗(yàn)和精準(zhǔn)的健康監(jiān)測(cè)服務(wù).在智能手表中,Golledge的技術(shù)應(yīng)用體現(xiàn)在多個(gè)關(guān)鍵方面.以一款熱門(mén)的智能手表為例,其內(nèi)置的Golledge心率傳感器采用了先進(jìn)的光電容積脈搏波(PPG)技術(shù),能夠?qū)崟r(shí),精準(zhǔn)地監(jiān)測(cè)用戶的心率變化.通過(guò)持續(xù)監(jiān)測(cè)心率數(shù)據(jù),智能手表不僅可以在用戶運(yùn)動(dòng)時(shí)提供實(shí)時(shí)的心率反饋,幫助用戶合理控制運(yùn)動(dòng)強(qiáng)度,避免運(yùn)動(dòng)過(guò)度對(duì)身體造成損傷,還能在日常生活中,對(duì)用戶的心率進(jìn)行長(zhǎng)期跟蹤分析,一旦發(fā)現(xiàn)心率異常,如心率過(guò)快,過(guò)慢或出現(xiàn)心律不齊等情況,會(huì)及時(shí)向用戶發(fā)出預(yù)警,提醒用戶關(guān)注身體健康狀況.據(jù)臨床研究數(shù)據(jù)表明,該智能手表在使用Golledge心率傳感器后,心率監(jiān)測(cè)的準(zhǔn)確率高達(dá)98%以上,與專業(yè)的醫(yī)療級(jí)心率監(jiān)測(cè)設(shè)備相比,誤差極小,為用戶的健康提供了可靠的保障.除了健康監(jiān)測(cè)功能,Golledge技術(shù)還助力智能手表實(shí)現(xiàn)了更加便捷的交互體驗(yàn).這款智能手表搭載的Golledge低功耗藍(lán)牙芯片,能夠?qū)崿F(xiàn)與智能手機(jī)的快速,穩(wěn)定連接,即使在復(fù)雜的電磁環(huán)境下,也能保持信號(hào)的穩(wěn)定傳輸,確保用戶不會(huì)錯(cuò)過(guò)任何重要信息.同時(shí),該芯片采用了先進(jìn)的節(jié)能技術(shù),在保證藍(lán)牙連接功能正常運(yùn)行的前提下,大幅降低了功耗,使得智能手表的電池續(xù)航時(shí)間得到了顯著提升.在正常使用場(chǎng)景下,配備Golledge藍(lán)牙音響晶振芯片的智能手表,電池續(xù)航時(shí)間相比采用傳統(tǒng)藍(lán)牙芯片的產(chǎn)品延長(zhǎng)了約30%,讓用戶無(wú)需頻繁充電,能夠更加方便地佩戴和使用智能手表,隨時(shí)享受便捷的智能交互服務(wù).
(三)平板電腦:移動(dòng)"工作站"
對(duì)于平板電腦而言,Golledge技術(shù)就像是為其注入了一股強(qiáng)大的"智慧力量",使其成為了功能強(qiáng)大的移動(dòng)"工作站",能夠完美滿足用戶在辦公,娛樂(lè)等多種場(chǎng)景下的需求.在性能提升方面,Golledge的技術(shù)成果顯著.以一款知名品牌的平板電腦為例,其搭載的Golledge處理器采用了先進(jìn)的多核架構(gòu)和超高速緩存技術(shù),擁有4個(gè)高性能核心和大容量的二級(jí)緩存,能夠快速處理各種復(fù)雜的任務(wù).在辦公場(chǎng)景下,用戶使用這款平板電腦運(yùn)行辦公軟件(如Word,Excel,PowerPoint等)時(shí),無(wú)論是進(jìn)行文檔編輯,數(shù)據(jù)處理還是制作演示文稿,都能感受到流暢的操作體驗(yàn),軟件的啟動(dòng)速度極快,各種操作響應(yīng)迅速,幾乎沒(méi)有延遲.與上一代產(chǎn)品相比,這款平板電腦在運(yùn)行辦公軟件時(shí)的速度提升了約40%,大大提高了用戶的辦公效率,讓用戶可以隨時(shí)隨地高效地完成工作任務(wù).在娛樂(lè)方面,Golledge技術(shù)同樣為平板電腦晶振帶來(lái)了出色的表現(xiàn).該平板電腦配備的Golledge圖形處理單元(GPU),采用了先進(jìn)的圖形渲染技術(shù)和高帶寬內(nèi)存接口,能夠支持4K高清視頻播放和流暢的3D游戲體驗(yàn).當(dāng)用戶觀看高清電影或電視劇時(shí),平板電腦的屏幕能夠呈現(xiàn)出清晰,細(xì)膩的畫(huà)面,色彩鮮艷,逼真,給用戶帶來(lái)身臨其境的視覺(jué)享受,在玩3D游戲時(shí),GPU能夠快速渲染復(fù)雜的游戲場(chǎng)景和精美的角色模型,使游戲畫(huà)面幀率穩(wěn)定保持在60幀以上,幾乎沒(méi)有出現(xiàn)卡頓或掉幀現(xiàn)象,讓用戶能夠盡情享受游戲的樂(lè)趣.此外,Golledge的技術(shù)還使得平板電腦在音頻處理方面表現(xiàn)出色,內(nèi)置的音頻芯片能夠提供高品質(zhì)的音效,支持環(huán)繞聲效果,為用戶帶來(lái)沉浸式的視聽(tīng)娛樂(lè)體驗(yàn).
Golledge與便攜式電子設(shè)備的不解之緣
| KC2520Z20.0000C15XXK | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520Z | XO | 20 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| KC2520Z100.000C15XXK | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520Z | XO | 100 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| KC3225K20.0000C1GE00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC3225K | XO | 20 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.63V |
| KC2016K24.0000C1GE00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2016K | XO | 24 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.63V |
| KC2520K24.0000C1GE00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520K | XO | 24 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.63V |
| KC2520K33.3333C1GE00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520K | XO | 33.3333 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.63V |
| MC2520Z25.0000C19XSH | KYOCERA京瓷晶振 | MC2520Z | XO | 25 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| MC2016Z10.0000C19XSH | KYOCERA京瓷晶振 | MC2016Z | XO | 10 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| MC2520Z33.3333C19XSH | KYOCERA京瓷晶振 | MC2520Z | XO | 33.3333 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| KC2520C25.0000C1LE00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520C-C1 | XO | 25 MHz | CMOS | 1.8V |
| KC2520C40.0000C2LE00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520C-C2 | XO | 40 MHz | CMOS | 2.5V, 3.3V |
| MC2016K25.0000C16ESH | KYOCERA京瓷晶振 | MC2016K | XO | 25 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.63V |
| KC2520Z4.09600C1KX00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520Z | XO | 4.096 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| KC2520Z1.84320C1KX00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520Z | XO | 1.8432 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| KC2520Z8.00000C1KX00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520Z | XO | 8 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| KC2016Z12.0000C1KX00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2016Z | XO | 12 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| KC2520Z11.2896C1KX00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520Z | XO | 11.2896 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| KC2520Z33.3333C1KX00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520Z | XO | 33.3333 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| KC2520Z50.0000C1KX00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520Z | XO | 50 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| KC2520Z25.0000C1KX00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520Z | XO | 25 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| KC2520Z24.0000C1KX00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520Z | XO | 24 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| KC2016Z8.00000C1KX00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2016Z | XO | 8 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| KC2016Z50.0000C1KX00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2016Z | XO | 50 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| KC2016Z40.0000C1KX00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2016Z | XO | 40 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| KC2016Z24.0000C1KX00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2016Z | XO | 24 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| KC2520Z25.0000C15XXK | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520Z | XO | 25 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| KC2016Z10.0000C15XXK | KYOCERA京瓷晶振 | KC2016Z | XO | 10 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| KC2016Z25.0000C15XXK | KYOCERA京瓷晶振 | KC2016Z | XO | 25 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| KC2520Z24.0000C15XXK | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520Z | XO | 24 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| KC2016Z50.0000C15XXK | KYOCERA京瓷晶振 | KC2016Z | XO | 50 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| KC2016Z24.0000C15XXK | KYOCERA京瓷晶振 | KC2016Z | XO | 24 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| KC3225K27.0000C1GE00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC3225K | XO | 27 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.63V |
| KC3225K33.3333C1GE00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC3225K | XO | 33.3333 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.63V |
| KC2520Z33.0000C15XXK | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520Z | XO | 33 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| KC2520Z16.0000C15XXK | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520Z | XO | 16 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| KC2016Z12.2880C15XXK | KYOCERA京瓷晶振 | KC2016Z | XO | 12.288 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| KC2016Z100.000C15XXK | KYOCERA京瓷晶振 | KC2016Z | XO | 100 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| KC2016Z33.3333C15XXK | KYOCERA京瓷晶振 | KC2016Z | XO | 33.3333 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| KC3225Z25.0000C15XXK | KYOCERA京瓷晶振 | KC3225Z | XO | 25 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| KC2520Z7.37280C15XXK | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520Z | XO | 7.3728 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| KC2016K16.0000C1GE00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2016K | XO | 16 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.63V |
| KC2520K24.5760C1GE00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520K | XO | 24.576 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.63V |
| KC3225K80.0000C1GE00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC3225K | XO | 80 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.63V |
| KC2016K4.00000C1GE00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2016K | XO | 4 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.63V |
| MC2520Z12.0000C19XSH | KYOCERA京瓷晶振 | MC2520Z | XO | 12 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| MC3225Z8.00000C19XSH | KYOCERA京瓷晶振 | MC3225Z | XO | 8 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| MC2520Z16.0000C19XSH | KYOCERA京瓷晶振 | MC2520Z | XO | 16 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| MC2520Z50.0000C19XSH | KYOCERA京瓷晶振 | MC2520Z | XO | 50 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| MC2520Z8.00000C19XSH | KYOCERA京瓷晶振 | MC2520Z | XO | 8 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| MC3225Z25.0000C19XSH | KYOCERA京瓷晶振 | MC3225Z | XO | 25 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| MC2520Z24.5760C19XSH | KYOCERA京瓷晶振 | MC2520Z | XO | 24.576 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| MC3225Z50.0000C19XSH | KYOCERA京瓷晶振 | MC3225Z | XO | 50 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| MC2520Z4.09600C19XSH | KYOCERA京瓷晶振 | MC2520Z | XO | 4.096 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| KC2520C40.0000C2YE00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520C-C2 | XO | 40 MHz | CMOS | 2.5V, 3.3V |
| KC2520C26.0000C1LE00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520C-C1 | XO | 26 MHz | CMOS | 1.8V |
| KC5032A100.000C1GE00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC5032A-C1 | XO | 100 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.63V |
| MC2016K40.0000C16ESH | KYOCERA京瓷晶振 | MC2016K | XO | 40 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.63V |
| KC2016Z25.0000C1KX00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2016Z | XO | 25 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| KC3225Z16.0000C1KX00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC3225Z | XO | 16 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
| KC2520Z13.5600C1KX00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520Z | XO | 13.56 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V |
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